IRF9540NPBF

Mae HEXFETs Pumed Cenhedlaeth o International Rectifier yn defnyddio technegau prosesu uwch i gyflawni gwrthiant hynod o isel fesul ardal silicon. Mae'r fantais hon, ynghyd â'r cyflymder newid cyflym a'r dyluniad dyfais garw y mae HEXFET PowerMOSFETs yn adnabyddus amdano, yn darparu dyfais hynod effeithlon a dibynadwy i'r dylunydd i'w defnyddio mewn amrywiaeth eang o gymwysiadau.