Cynhyrchion

Uwch HEXFET® Power MOSFETs o International Rectifier yn defnyddio technegau prosesu uwch i gyflawni

Dyluniad celloedd dwysedd uchel ar gyfer RDS(on) isel iawn. Wedi'i rygnu a'i Ymlacio.

Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information)

Ymhlith y ceisiadau mae'r swyddogaeth AR / OFF mewn cymwysiadau fel ymlacio statig, rheoleiddio

Planar passivated four quadrant triac in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package intended

Gallu foltedd blocio uchel. Gât lai sensitif ar gyfer gwell imiwnedd sŵn. Pecyn gosod arwyneb-.

Amlen blastig thyristors glasspassivated, a fwriedir i'w defnyddio mewn ceisiadau sy'n gofyn am

Mae'r gyfres Z01 yn addas at ddiben cyffredinol cymwysiadau newid AC. Defnyddir y dyfeisiau hyn fel

Adeiladu epitaxial planr marw. Math PNP cyflenwol ar gael MMBT2907A. Pecyn gosod arwyneb bach

NPN silicon epitaxial, cynllun planar.. Casglwr-foltedd allyrrydd VCE=40V.. IC cyfredol

Presennol y Casglwr Uchel. (Ic=500mA). Ategol i S9012. Llinoledd HFE Ardderchog. Dissipation pŵer.

S{0}} Rhagddodiad ar gyfer Cymwysiadau Modurol a Chymwysiadau Eraill Sydd Angenrheidiol Gofynion