DS1245YP% 7b{1}}

NODWEDDION
 10 mlynedd o leiaf o gadw data yn absenoldeb pŵer allanol
 Mae data'n cael ei ddiogelu'n awtomatig yn ystod colli pŵer
 Yn disodli RAM statig anweddol 128k x 8, cof EEPROM neu Flash
 Cylchredau ysgrifennu anghyfyngedig
 CMOS pŵer isel
 Darllen ac ysgrifennu amseroedd mynediad o 70 ns
 Mae ffynhonnell ynni lithiwm wedi'i datgysylltu'n drydanol i gadw ffresni nes bod pŵer yn cael ei gymhwyso am y tro cyntaf
 Ystod gweithredu VCC llawn ±10% (DS1245Y)
 Amrediad gweithredu VCC dewisol ±5% (DS1245AB)
 Amrediad tymheredd diwydiannol dewisol o -40 gradd i +85 gradd , IND dynodedig
 Pecyn pin DIP 32-safonol JEDEC
 Pecyn Modiwl PowerCap (PCM).
- Modiwl y gellir ei osod ar yr wyneb yn uniongyrchol
- Mae PowerCap snap y gellir ei ailosod yn darparu batri wrth gefn lithiwm
- Pinout safonol ar gyfer yr holl gynhyrchion SRAM anweddol
- Mae nodwedd datgysylltu ar PowerCap yn caniatáu symud yn hawdd gan ddefnyddio tyrnsgriw arferol

Tagiau poblogaidd: ds1245yp-70, Tsieina ds1245yp-70 cyflenwyr, gweithgynhyrchwyr